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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:
Su SJ
;
Xue CL
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
SILICON
GAP
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
收藏
  |  
浏览/下载:52/3
  |  
提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180
Wang XD
;
Wang H
;
Wang HL
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
low temperature GaAs
As precipitates
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEPENDENCE
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