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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers 期刊论文 solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7 Chen J; Wang X; Wu AM; Zhang B; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/04/04 FABRICATION  SILICON  MEMS  NITRIDE   PHASE TRANSITION OF VANADIUM OXIDE FILMS ANNEALED WITH DIFFERENT METHODS 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2010, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 457-460 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：48/3  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide thin film  infrared transmission spectrum  rapid elevating temperatue  THIN-FILMS  VO2 FILMS  TEMPERATURE  FABRICATION   Revised ab initio natural band offsets of all group IV, II-VI, and III-V semiconductors 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 21, 页码: art. no. 212109 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  band structure  cadmium compounds  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  IV-VI semiconductors  zinc compounds   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Comparison between double crystals X-ray diffraction micro-Raman measurement on composition determination of high Ge content Si1_xGex layer epitaxied on Si substrate 期刊论文 journal of materials science & technology, 2006, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 651-654 Zhao L (Zhao Lei); Zuo YH (Zuo Yuhua); Cheng BW (Cheng Buwen); Yu JZ (Yu Jinzhong); Wang QM (Wang Qiming) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/04/11 Si1_xGex  Ge content  composition determination  double crystals X-ray diffraction (DCXRD)  micro-Raman measurement  BAND-GAP  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES  ALLOYS  RELAXATION  SCATTERING  THICKNESS  STRAIN