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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2004 [3]
2001 [1]
1996 [1]
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学科主题
光电子学 [10]
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学科主题:光电子学
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Structural characterization of mn implanted AlInN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115404
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
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浏览/下载:62/3
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提交时间:2010/03/08
ION-IMPLANTATION
Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: art.no.093510
作者:
Jin P
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/29
HIGH-POWER
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Jin, RQ (Jin, R. Q.)
;
Huang, Y (Huang, Y.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, KH (Ploog, K. H.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
MOVPE growth of grade-strained bulk InGaAs/InP for broad-band optoelectronic device applications
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 464-468
Wang SR
;
Wang W
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Zhang RY
;
Zhou F
;
Shu HY
;
Wang RF
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浏览/下载:353/108
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提交时间:2010/03/09
graded-strain
High-indium-content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25 mu m at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5100-5102
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:219/54
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
A study of the degree of relaxation of AlGaN epilayers on GaN template
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 289-294
Zhang JC
;
Wu MF
;
Wang JF
;
Liu JP
;
Wang YT
;
Chen J
;
Jin RQ
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:158/53
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提交时间:2010/03/09
high resolution X-ray diffraction
Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
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浏览/下载:108/4
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence
molecular beam epitaxy
InGaAs capping layer
1.35 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
EMISSION
LAYER
X-ray-diffraction study of quasipseudomorphic ErSi1.7 layers formed by channeled ion-beam synthesis
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 10, 页码: 5713-5717
Wu MF
;
Vantomme A
;
Pattyn H
;
Langouche G
;
Yang QQ
;
Wang QM
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/11/17
EPITAXIAL ERBIUM SILICIDE
RARE-EARTH SILICIDES
DIFFUSION MARKER EXPERIMENTS
THIN-FILMS
111 SI
ELECTRICAL-PROPERTIES
ATOMIC-STRUCTURE
IMPLANTED SI
YTTRIUM
GROWTH
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