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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
1995 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:147/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Comparison of two kinds of active layers for high-power narrow-stripe distributed feedback laser diodes
期刊论文
chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 817-820
Fu SH (Fu Sheng-Hui)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
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浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/03/29
InGaAlAs/AlGaAs
ON THE RATE-EQUATIONS OF SEMICONDUCTOR-LASERS FOR MEASURING SPONTANEOUS EMISSION FACTOR
期刊论文
ieee photonics technology letters, 1995, 卷号: 7, 期号: 9, 页码: 977-979
HUANG YZ
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提交时间:2010/11/17
MICROCAVITY LASERS
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