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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2006 [2]
学科主题
光电子学 [4]
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学科主题:光电子学
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Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055009
Zeng SW
;
Zhang BP
;
Sun JW
;
Cai JF
;
Chen C
;
Yu JZ
收藏
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浏览/下载:58/7
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INN
ABSORPTION
ALLOYS
ENERGY
Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100)
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
ACTIVATED BONDING METHOD
ROOM-TEMPERATURE
EPITAXIAL OVERGROWTHS
SURFACE
CRYSTAL
GAAS
TECHNOLOGY
ENERGY
FILMS
Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/04/11
InP
Si
X-ray double crystalline diffraction
thermal strain
wafer bonding
OPTOELECTRONIC DEVICES
EPITAXIAL OVERGROWTHS
TEMPERATURE
INTERFACE
STRESSES
VCSELS
SURFACES
ENERGY
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