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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in a GaNAs/GaAs single quantum well 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 521-523 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：65/21  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 Zhang W; Pan Z; Li LH; Zhang RK; Lin YW; Wu RG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 GaInNAs  photodetector  resonant cavity enhanced  high speed property  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SCHOTTKY PHOTODIODES  PERFORMANCE  EFFICIENCY  OPERATION  BANDWIDTH  DESIGN  SI   Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 Luo XD; Xu ZY; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：102/4  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  band offset  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GANAS/GAAS  1.3-MU-M  GAASN   Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18 Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnSe : N  photoluminescence  hound exciton  P-TYPE ZNSE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASER-DIODES  LUMINESCENCE  ACCEPTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY