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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   Stress evolution influenced by oxide charges on GaN metal-organic chemical vapor deposition on silicon-on-insulator substrate 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 89, 期号: 1, 页码: 177-181 Sun J; Chen J; Wang X; Wang J; Liu W; Zhu J; Yang H 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/29 GROWTH   Self-organized hexagonal ordering of quantum dot arrays 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5765-5768 Ma WQ (Ma W. Q.); Sun YW (Sun Y. W.); Yang XJ (Yang X. J.); Jiang DS (Jiang D. S.); Chen LH (Chen L. H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 SURFACE  GROWTH  SUPERLATTICES  ISLANDS   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Ye XL;  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 bimodal size distribution  metalorganic vapor phase epitaxy  self-assembled quantum dots  indium arsenide  PHASE-EPITAXY  ISLANDS  INGAAS  SIZE  LASER   Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system 会议论文 symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Yu JZ; Huang CJ; Cheng BW; Zuo YH; Luo LP; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 Normally incident infrared absorption in vertically aligned InGaAs/GaAs quantum dot superlattice 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1998, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 477-480 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  superlattice  infrared absorption  SYSTEMS  GROWTH  GAAS  INP  ISLANDS