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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [2]
2006 [2]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Zhao, YW
;
Zhang, F
;
Zhang, R
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
zinc oxide
defect
vacancy
Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235
作者:
Yang H
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
Comparison between double crystals X-ray diffraction micro-Raman measurement on composition determination of high Ge content Si1_xGex layer epitaxied on Si substrate
期刊论文
journal of materials science & technology, 2006, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 651-654
Zhao L (Zhao Lei)
;
Zuo YH (Zuo Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/04/11
Si1_xGex
Ge content
composition determination
double crystals X-ray diffraction (DCXRD)
micro-Raman measurement
BAND-GAP
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
ALLOYS
RELAXATION
SCATTERING
THICKNESS
STRAIN
Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180
Wang XD
;
Wang H
;
Wang HL
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
low temperature GaAs
As precipitates
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEPENDENCE
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