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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
1997 [1]
1994 [1]
学科主题
光电子学 [4]
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学科主题:光电子学
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Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112
Liu WB (Liu Wenbao)
;
Sun X (Sun Xian)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/29
GAAS-SURFACES
Space-charge-limited currents in GaN Schottky diodes
期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 847-852
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/03/17
GaN
Electron migration in BaFCl:Eu2+ phosphors
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 81, 期号: 7, 页码: 3170-3174
Chen W
;
Song QQ
;
Su MZ
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/17
HOLE-PHOTOSTIMULATED LUMINESCENCE
STORAGE PHOSPHOR
COLOR-CENTERS
V-CENTERS
BAFBR-EU-2+
BAFBR
RADIATION
CRYSTALS
CHARACTERIZATION OF HIGH FLUENCE NEUTRON-INDUCED DEFECT LEVELS IN HIGH-RESISTIVITY SILICON DETECTORS USING A LASER DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY (L-DLTS)
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1994, 卷号: 342, 期号: 1, 页码: 137-142
LI CJ
;
LI Z
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提交时间:2010/11/15
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