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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [2]
发表日期
2013 [1]
2010 [1]
2007 [2]
2001 [2]
2000 [1]
1998 [1]
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学科主题
光电子学 [8]
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学科主题:光电子学
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Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 105020
L L Wu, D G Zhao, D S Jiang, P Chen, L C Le, L Li, Z S Liu, S M Zhang, J J Zhu, H Wang, B S Zhang, H Yang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/04/09
Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD
期刊论文
journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
Sun YP (Sun Yuanping)
;
Sun Y (Sun Yuanping)
;
Cho YH (Cho Yong-Hoon)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang LL (Wang Lili)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:513/2
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提交时间:2010/08/17
InN
Burstein-Moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
FUNDAMENTAL-BAND GAP
WELL STRUCTURES
EMISSION
SINGLE
Dependence of elastic strain field on the self-organized ordering of quantum dot superlattices
期刊论文
journal of university of science and technology beijing, 2007, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 477-481
Liu YM (Liu Yumin)
;
Yu ZY (Yu Zhongyuan)
;
Huang YZ (Huang Yongzhen)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/29
quantum dot
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912
Yang T (Yang, Tao)
;
Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun)
;
Aoki K (Aoki, Kanna)
;
Nishioka M (Nishioka, Masao)
;
Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko)
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:109/4
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence
molecular beam epitaxy
InGaAs capping layer
1.35 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
EMISSION
LAYER
Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MU-M
The influence of growth interruption on quantum dot laser
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 347-350
Wang H
;
Wang HL
;
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
self-organized InAs quantum dots
quantum dots laser
growth interruption
band-filling
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/10/29
Si1-yCy alloys
ion implantation
solid phase epitaxy recrystallization
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