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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：46/3  |  提交时间：2011/07/05 Nitride materials  Crystal growth  Composition fluctuations  X-ray diffraction  LAYER   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films 期刊论文 journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 273-281 Liu FM; Wang TM; Zhang LD; Li GH; Han HX 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystals  photoluminescence  quantum confinement  GaSb  Ga0.62In0.38Sb  LIQUID-PHASE EPITAXY  X-RAY PHOTOELECTRON  GALLIUM ANTIMONIDE  COMPOSITE FILMS  QUANTUM DOTS  RAMAN  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  SPECTRA  MATRIX