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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2022    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A gate-tunable artificial synapse based on vertically assembled van der Waals ferroelectric heterojunction 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 128, 页码: 239-244 作者:  Wang, Yaning;  Li, Wanying;  Guo, Yimeng;  Huang, Xin;  Luo, Zhaoping 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2022/07/14 van der Waals heterostructures  Ferroelectrics  Memristor  Artificial synapse  Neuromorphic computing   Controlled Growth of Wafer-Scale Transition Metal Dichalcogenides with a Vertical Composition Gradient for Artificial Synapses with High Linearity 期刊论文 ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 12318-12327 作者:  Tang, Lei;  Teng, Changjiu;  Xu, Runzhang;  Zhang, Zehao;  Khan, Usman 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/10/08 vertical composition gradient  transition metal dichalcogenides  chemical vapor deposition  wafer-scale  artificial synapses  device array  linearity