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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2022    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates 期刊论文 Vacuum, 2022, 卷号: 201 作者:  Wang, Xiaoye;  Bai, Xue;  Yang, Xiaoguang;  Du, Wenna;  Yang, Tao 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/06/20 Crystal defects  Gallium alloys  III-V semiconductors  Indium alloys  Metallorganic chemical vapor deposition  Morphology  Nanowires  Semiconducting indium gallium arsenide  Semiconductor alloys  Silicon  Substrates  Growth morphology  High-temperature annealing  Inas nanowire  Metal-organic chemical vapour depositions  Optimisations  Parasitic island  Parasitics  Si substrates  Substrate surface  Treatment methods   Cation substituted Ni3S2 nanosheets wrapped Zn0.76Co0.24S nanowire arrays prepared with in-situ oxidative etching strategy for high performance solid-state asymmetric supercapacitors 期刊论文 JOURNAL OF ENERGY STORAGE, 2022, 卷号: 46 作者:  Jia, Henan;  Fan, Jiahang;  Fan, Yuewen;  Feng, Chenchen;  Jin, Haize 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2022/03/01 In-situ oxidative etching  Core-shell  Zn0.76Co0.24S  Ni3S2  Supercapacitor