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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2021     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Realization of a non-markov chain in a single 2D mineral RRAM 期刊论文 SCIENCE BULLETIN, 2021, 卷号: 66, 期号: 16, 页码: 1634-1640 作者:  Zhang, Rongjie;  Chen, Wenjun;  Teng, Changjiu;  Liao, Wugang;  Liu, Bilu 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/11/22 2D materials  Mica  Ion transport  RRAM  Non-Markov chain   基于RRAM的容量可调存储器及其容量调节与数据传输方法 专利 专利号: CN202010747634.9, 申请日期: 2021-08-17, 公开日期: 2021-08-17 作者:  梁晓祯;  雷晓艺;  高佳锐;  白永林;  王乐 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/11/15 Spinodal Decomposition-Driven Endurable Resistive Switching in Perovskite Oxides 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13, 期号: 26, 页码: 31001-31009 作者:  Liu, Nan;  Cao, Yi;  Zhu, Yin-Lian;  Wang, Yu-Jia;  Tang, Yun-Long 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/10/15 resistive switching  spinodal decomposition  perovskites  atomic force microscopy  transmission electron microscopy   Spinodal Decomposition-Driven Endurable Resistive Switching in Perovskite Oxides 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13, 期号: 26, 页码: 31001-31009 作者:  Liu, Nan;  Cao, Yi;  Zhu, Yin-Lian;  Wang, Yu-Jia;  Tang, Yun-Long 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/10/14 resistive switching  spinodal decomposition  perovskites  atomic force microscopy  transmission electron microscopy   Defect Analysis and Parallel Testing or 3D Hybrid CMOS-Memristor Memory 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON EMERGING TOPICS IN COMPUTING, 2021, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 745-758 作者:  Liu, Peng;  You, Zhiqiang;  Wu, Jigang;  Elimu, Michael;  Wang, Weizheng 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/12/01 Non-volatile memory  RRAM  CMOL  memristor  testing   Smart Design of Resistive Switching Memory by an In Situ Current-Induced Oxidization Process on a Single Crystalline Metallic Nanowire 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: - 作者:  Shih, Yu-Chuan;  Lee, Ling;  Liang, Kai-De;  Manikandan, Arumugam;  Liu, Wen-Wu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/03/12 Copper  Copper oxides  Nanocrystalline materials  Nanowires  Oxide minerals  RRAM  Single crystals  Fabrication process  High current densities  Random access memory  Resistive switching  Resistive switching memory  Switching behaviors  Switching mechanism  Switching properties   High-performance flexible resistive random access memory devices based on graphene oxidized with a perpendicular oxidation gradient 期刊论文 NANOSCALE, 2021, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 2448-2455 作者:  Aziz, Tariq;  Wei, Shijing;  Sun, Yun;  Ma, Lai-Peng;  Pei, Songfeng 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/03/15