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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Observation of robust charge transfer under strain engineering in two-dimensional MoS2-WSe2heterostructures 期刊论文 Nanoscale, 2021, 卷号: 13, 期号: 33, 页码: 14081-14088 作者:  S.-W. Zheng;  H.-Y. Wang;  L. Wang;  Y. Luo;  B.-R. Gao and H.-B. Sun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13 Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文 ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136 作者:  P. Yang;  H. Yang;  Z. Wu;  F. Liao;  X. Guo 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/06/13 Structural and compositional analysis of (InGa) (AsSb)/GaAs/GaP Stranski-Krastanov quantum dots 期刊论文 Light-Science & Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 13 作者:  R. S. R. Gajjela;  A. L. Hendriks;  J. O. Douglas;  E. M. Sala;  P. Steindl 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2022/06/13 Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文 Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136 作者:  P. Yang;  H. F. Yang;  Z. Y. Wu;  F. Y. Liao;  X. J. Guo 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/14