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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669 作者:  Wu, Bi;  Wang, Chao;  Wang, Zhaohao;  Wang, Ying;  Zhang, Deming 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2021/12/01 Random access memory  Magnetic tunneling  Switches  Reliability  Tunneling magnetoresistance  Metals  Transistors  SOT-MRAM  low power  high speed  high reliability   Field-Free Switching of a Spin-Orbit-Torque Device Through Interlayer-Coupling-Induced Domain Walls 期刊论文 PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 10 作者:  Zhao, Xiaotian;  Ji, Lianze;  Liu, Wei;  Li, Shangkun;  Liu, Long 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2021/02/02