×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
长春光学精密机械与物... [6]
金属研究所 [2]
宁波材料技术与工程研... [1]
上海应用物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
合肥物质科学研究院 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2020 [12]
学科主题
Materials ... [1]
Science & ... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2020
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Optoelectronic Properties of Monolayer Hexagonal Boron Nitride on Different Substrates Measured by Terahertz Time-Domain Spectroscopy
期刊论文
NANOMATERIALS, 2020, 卷号: 10
作者:
Bilal, Muhammad
;
Xu, Wen
;
Wang, Chao
;
Wen, Hua
;
Zhao, Xinnian
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2020/11/26
monolayer
hexagonal boron nitride
chemical vapor deposition
terahertz
time domain spectroscopy
Growth of Large-Area Homogeneous Monolayer Transition-Metal Disulfides via a Molten Liquid Intermediate Process
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 13174-13181
作者:
Liu, Hang
;
Qi, Guopeng
;
Tang, Caisheng
;
Chen, Maolin
;
Chen, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2021/02/02
transition-metal dichalcogenides
chemical vapor deposition
large-area growth
molten liquid intermediate
monolayer
Growth of Large-Area Homogeneous Monolayer Transition-Metal Disulfides via a Molten Liquid Intermediate Process
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 13174-13181
作者:
Liu, Hang
;
Qi, Guopeng
;
Tang, Caisheng
;
Chen, Maolin
;
Chen, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2021/02/02
transition-metal dichalcogenides
chemical vapor deposition
large-area growth
molten liquid intermediate
monolayer
Polarity Control and Nanoscale Optical Characterization of AlGaN-Based Multiple-Quantum-Wells for Ultraviolet C Emitters
期刊论文
ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5335-5342
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Dai, Yijun
;
Cui, Mei
;
Li, Kuang-hui
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2020/12/16
LIGHT-EMITTING-DIODES
GAN GROWTH
PARAMETERS
WATER
Epitaxial growth of < 010 >-oriented MoO2 nanorods on m-sapphire
期刊论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1130-1135
作者:
Liu, JX
;
Shi, J
;
Wu, D
;
Zheng, XM
;
Chen, FM
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2021/09/06
FIELD-EMISSION PROPERTIES
ELECTRONIC-STRUCTURE
BISMUTH
DRIVEN
Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes
期刊论文
JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, 2020, 卷号: 160, 页码: e60167
作者:
Xiang Zhang
;
Zhaolong Chen
;
Hongliang Chang
;
Jianchang Yan
;
Shenyuan Yang
;
Junxi Wang
;
Peng Gao
;
Tongbo Wei
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2021/06/16
Polarization dependent infrared reflectivity studies of Si-doped MOCVD grown GaN/Sapphire epilayers
期刊论文
Materials Chemistry and Physics, 2020, 卷号: 252, 页码: 16
作者:
D. N. Talwar,H. H. Lin and Z. C. Feng
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2021/07/06
Optical Characterization of GaN-Based Vertical Blue Light-Emitting Diodes on P-Type Silicon Substrate
期刊论文
Crystals, 2020, 卷号: 10, 期号: 7, 页码: 12
作者:
Y. Lei,H. Wan,B. Tang,S. Y. Lan,J. H. Miao,Z. H. Wan,Y. C. Liu and S. J. Zhou
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2021/07/06
Effects of annealing temperature, thickness and substrates on optical properties of m-plane ZnO films studied by photoluminescence and temperature dependent ellipsometry
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 848, 页码: 10
作者:
Y. Liu,T. Y. He,D. H. Chen,H. Yang,I. T. Ferguson,D. Huang and Z. C. Feng
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2021/07/06
Growth of high-quality AlN films on sapphire substrate by introducing voids through growth-mode modification
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 518, 页码: 7
作者:
B. Tang,H. P. Hu,H. Wan,J. Zhao,L. Y. Gong,Y. Lei,Q. Zhao and S. J. Zhou
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2021/07/06
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace