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重庆绿色智能技术研究... [1]
沈阳自动化研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [2]
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Layer dependent direct tunneling behaviors through two dimensional titania nanosheets
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2020, 卷号: 173, 页码: 5
作者:
Pu, Yayun
;
Xie, Xiong
;
Wang, Liang
;
Shen, Jun
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提交时间:2020/08/24
Two dimensional oxides
Titania nanosheet
Electron tunneling
WKB approximation
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
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