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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Lattice Defects and Exfoliation Efficiency of 6H-SiC via H-2(+) Implantation at Elevated Temperature 期刊论文 MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: 13 作者:  Wang, Tao;  Yang, Zhen;  Li, Bingsheng;  Xu, Shuai;  Liao, Qing 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/13 6H-SiC  H-2(+) implantation  exfoliation  microstructure   Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)