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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Corrosion Characteristics of Aluminum in Sodium Bicarbonate Aqueous Solution at 50 degrees C 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2019, 卷号: 14, 期号: 8 作者:  Zheng, Feng;  Hao, Liangshou;  Li, Jiayang;  Zhu, Haifeng;  Chen, Xiaoping 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/05 Aluminum  Corrosion  Sodium bicarbonate solution  Bicarbonate radical  Radiator  Thyristor  High-voltage direct current   Research on Parallel Reactive Power and Harmonic Comprehensive Treatment Device 其他 2019-01-01 作者:  Chen, Xuxuan;  Jiang, Feng;  Wang, Bin;  Ai, Wei;  Liu, Rui 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/05 Harmonic suppression  reactive power compensation  thyristor control reactor  decoupling control  comprehensive compensation   Corrosion Behavior of Aluminum in Carbon Dioxide Aqueous Solution at 50 degrees C 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2019, 卷号: 14, 期号: 4 作者:  Li, Daoyu;  Shi, Zhen;  Xu, Huaping;  Chen, Yi;  Feng, Wenxin 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/05 Aluminum  Corrosion  Carbon dioxide solution  Bicarbonate radical  Radiator  Thyristor  High voltage direct current   A high di/dt 4H-SiC thyristor with '(sic)-shaped' n-base 期刊论文 2019, 卷号: 34 作者:  Liu, Qing;  Pu, Hongbin;  Wang, Xi;  Li, Jiaqi 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20 4H-SiC  thyristor  turn-on  turn-on di/dt   Study on the destruction mechanism caused by dynamic avalanche in GCTs 期刊论文 2019, 卷号: 92, 页码: 34-41 作者:  Yang, Wuhua;  Wang, Cailin;  Yang, Jing 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/20 Power semiconductor device  Gate commutated thyristor  Dynamic avalanche  Current filament  Destruction mechanism   Improved turn-on characteristics of 4H-SiC asymmetrical thyristor with double epitaxial n-base 期刊论文 2019, 卷号: 126, 页码: 150-157 作者:  Liu, Qing;  Pu, Hongbin;  Wang, Xi;  Li, Jiaqi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/20 4H-SiC  Thyristors  Turn-on time   Ultra-high voltage 4H-SiC Thyristor with inhomogeneous carrier lifetime 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  Liu, Qing;  Pu, Hongbin;  Wang, Xi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20 4H-SiC  ultra-high voltage  thyritars  Wattle   Influence of p(-) blocking base carrier lifetime on characteristics of SiC light-triggered thyristor 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  An, Liqi;  Pu, Hongbin;  Wang, Xi;  Tang, Xinyu;  Liu, Qing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20 silicon carbide  light-triggered thyristor  minority carrier lifetime  turn-on delay time   A Novel Trench Gate MOS Turn-off GCT Structure 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  Wang, Cailin;  Wu, Yun;  Yang, Jing;  Ge, Jingtao 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20 Gate commutated thyristor (GCT)  MOS  turn-off  trench gate   A Novel IF-Bi-MCT Structure Rated up to 6.5kV for Lower Losses 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  Wang, Cailin;  Cao, Rongrong;  Yang, Wuhua;  Tian, Qianhui 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/12/20 the electron injection enhancement (1E)  Base resistance control thyristor (BRT)  Thyristor mode  MOS-controlled thyristor (MCT)