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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal–Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments 期刊论文 ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893 作者:  Zhepeng Zhang;  Yue Gong;  Xiaolong Zou;  Porun Liu;  Pengfei Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/17 chemical  vapor  deposition  metal−semiconductor  vertical  stacks  transition-metal  dichalcogenides  VSe2  WSe2   Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal-Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments 期刊论文 ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893 作者:  Zhang, Zhepeng;  Gong, Yue;  Zou, Xiaolong;  Liu, Porun;  Yang, Pengfei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 transition-metal dichalcogenides  chemical vapor deposition  metal-semiconductor vertical stacks  VSe2  WSe2   Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal–Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments 期刊论文 ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893 作者:  Zhepeng Zhang;  Yue Gong;  Xiaolong Zou;  Porun Liu;  Pengfei Yang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 chemical  vapor  deposition  metal−semiconductor  vertical  stacks  transition-metal  dichalcogenides  VSe2  WSe2   Large Tunneling Magnetoresistance in VSe2/MoS2 Magnetic Tunnel Junction 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 页码: 17647-17653 作者:  Zhou, Jiaqi;  Qiao, Junfeng;  Duan, Chun-Gang;  Bournel, Arnaud;  Wang, Kang L. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 vdW heterojunction  magnetic tunnel junction  tunneling magnetoresistance  spin Hall effect  ab initio calculation