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期刊论文 [6]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [7]
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共7条,第1-7条
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发表日期:2019
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Improving the signal resolution of semiconductor gas sensors to high-concentration gases
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 162, 页码: 7
作者:
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Liping
;
Bian, Yuzhi
;
Wang, Ying
;
Han, Ning
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/03/24
Metal oxide gas sensor
Field-effect transistor
High-concentration
Signal resolution
Investigation of the Dyakonov-Shur instability for THz plasma waves in quantum gated cylindrical FET
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 12
作者:
Li, Dongao
;
Zhang, Liping
;
Su, Junyan
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/06/02
Electron temperature
Field effect transistors
Plasma diagnostics
Plasma stability
Plasma waves
Quantum channel
Quantum theory
Circumferential direction
Dispersion equations
Field effect transistor (FETs)
Hydrodynamic equations
Oscillation frequency
Quantum effects
Research results
Source and drains
氧化锌气敏机制的研究及传感器信号放大的应用
学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:
周新愿
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2020/06/17
气体传感器,氧化锌,晶体缺陷,放大效应,微量挥发性有机物
Power and Area Efficient FPGA Building Blocks Based on Ferroelectric FETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 1780-1793
作者:
Chen, Xiaoming
;
Ni, Kai
;
Niemier, Michael T.
;
Han, Yinhe
;
Datta, Suman
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2019/08/16
Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)
field-programmable gate array (FPGA)
lookup table (LUT)
routing switch
Electronic transport in MoSe2 FETs modified by latent tracks created by swift heavy ion irradiation
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52, 页码: 125102
作者:
Zhang, S. X.
;
Liu, J.
;
Zeng, J.
;
Hu, P. P.
;
Maaz, K.
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2019/04/02
molybdenum selenide
field-effect transistor
electronic transportation
swift heavy ion irradiation
latent track
Versatile Doping Control of Black Phosphorus and Functional Junction Structures
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 123, 页码: 10682-10688
作者:
Jia, Jingyuan
;
Jeon, Sumin
;
Jeon, Jaeho
;
Park, Jin-Hong
;
Lee, Sungjoo
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/12/02
Esters
Ionic liquids
Optoelectronic devices
Phosphorus, Degenerate doping
Doping techniques
Electrical performance
Electronic device
Field effect transistor (FETs)
Junction structure
Lateral junctions
Rectifying behaviors, Field effect transistors
Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
收藏
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
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