×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
长春光学精密机械与物... [2]
宁波材料技术与工程研... [1]
武汉大学 [1]
湖南大学 [1]
半导体研究所 [1]
上海硅酸盐研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2019 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
发表日期:2019
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Strong interfacial coupling effects of ferroelectric polarization with two-dimensional electron gas in BaTiO3/MgO/AlGaN/GaN/Si heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 5677
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Zhao, Junliang
;
Zhu, Qiuxiang
;
Chen, Yongbo
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2019/12/26
The characterization of AlGaN nanowires prepared via chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 17
作者:
Jiang, Renjie
;
Meng, Xianquan
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/05
1.8-kV circular AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure high electron mobility transistor
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: Vol.28 No.2, 页码: 027301
作者:
Sheng-Lei Zhao
;
Zhi-Zhe Wang
;
Da-Zheng Chen
;
Mao-Jun Wang
;
Yang Dai
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Unambiguously Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures Grown on Large Misoriented Sapphire Substrate
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 卷号: 29, 期号: 48
作者:
Sun, Haiding
;
Mitra, Somak
;
Subedi, Ram Chandra
;
Zhang, Yi
;
Guo, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2019/12/18
SURFACE KINETICS
NANOWIRES
QUALITY
LOCALIZATION
PROSPECTS
NONPOLAR
PLANAR
NM
Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps
期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:
K.Jiang
;
X.J.Sun
;
J.W.Ben
;
Z.M.Shi
;
Y.P.Jia
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2020/08/24
potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2020/08/24
van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
Design and fabrication of double AlGaN/GaN distributed Bragg reflector stack mirror for the application of GaN-based optoelectronic devices
期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 3277-3282
作者:
Gaoqiang Deng
;
Yuantao Zhang
;
Pengchong Li
;
Ye Yu
;
Xu Han
;
Liang Chen
;
Long Yan
;
Xin Dong
;
Degang Zhao
;
Guotong Du
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2020/08/04
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace