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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/09 图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应