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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Unique and Tunable Photodetecting Performance for Two- Dimensional Layered MoSe 2 /WSe 2 p−n Junction on the 4H-SiC Substrate 期刊论文 Wei Gao; Feng Zhang; Zhaoqiang Zheng; Jingbo Li, 2019, 卷号: 11, 期号: 21, 页码: 19277-19285 作者:  Wan G(万刚) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/07/31 Vis−IR Wide-Spectrum Photodetector at Room Temperature Based on p−n Junction-Type GaAs 1−x Sb x /InAs Core−Shell Nanowire 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 卷号: 11, 期号: 42, 页码: 38973-38981 作者:  Xinzhe Wang;  Dong Pan;  Yuxiang Han;  Mei Sun;  Jianhua Zhao;  Qing Chen 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/07/31