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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe 期刊论文 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 3 作者:  Wang, Yiming;  Zhang, Jiawei;  Liang, Guangda;  Shi, Yanpeng;  Zhang, Yifei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 3 作者:  Wang, Yiming;  Zhang, Jiawei;  Liang, Guangda;  Shi, Yanpeng;  Zhang, Yifei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Stable InSe transistors with high-field effect mobility for reliable nerve signal sensing 期刊论文 NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2019, 卷号: 3 作者:  Jiang, Jianfeng;  Li, Jingxin;  Li, Yutao;  Duan, Jiazhzhi;  Li, Linshen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Tunable electronic properties of an Sb/InSe van der Waals heterostructure by electric field effects 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2019, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 5627-5633 作者:  Zhang, Zhihui;  Zhang, Yan;  Xie, Zifeng;  Wei, Xing;  Guo, Tingting 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/11