×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
大连理工大学 [1]
国家空间科学中心 [1]
高能物理研究所 [1]
西安理工大学 [1]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2019 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2019
内容类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Development of a Pulsed Power Supply Utilizing 13 kV Class SiC-MOSFET
会议论文
Australia, 2019
作者:
K. Takayama
;
K. Okamura
;
F. Naito
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/08/06
Study on Zero Drift of Charge Amplifier Based on MOSFET 3N165 and OPA LF356N
会议论文
2018 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER ELECTRONICS AND CONTROL ENGINEERING (ISPECE 2018), 2019-01-01
作者:
Ren, Zongjin
;
Sun, Cong
;
Zhang, Jun
;
Ma, Lulu
;
Zhao, Kai
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/02
Review of SiC MOSFET Drive Circuit
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Yang
;
Yang, Yuan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Silicon Carbide (SiC) devices
Switching characteristics
drive circuit
The threshold voltage degradation of MOSFET in heavy-ion single event effect test
会议论文
Beijing, China, May 16, 2018 - May 18, 2018
作者:
Zhang, Zeming
;
Ma, Yingqi
;
Li, Dan
;
Tong, Chao
;
Guo, Xiaoxiao
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/12/26
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace