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40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip 会议论文
作者:  Xu XX(许晓欣);  Tai L(台路);  Gong TC(龚天成);  Yin JH(殷嘉浩);  Peng Huang
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/13
非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者:  刘琦;  刘明;  孙海涛;  张科科;  龙世兵
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/03/27
一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利
专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25
作者:  龙世兵;  王国明;  张美芸;  李阳;  许定林
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/06
design of cmos compatible, high-speed, highly-stable complementary switching with multilevel operation in 3D vertically stacked novel HfO2/Al2O3/TiOx (HAT) RRAM 期刊论文
advanced electronic materials, 2018
作者:  Writam Banerjee;  Zhang XM(张续猛);  Luo Q(罗庆);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/18
Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application 期刊论文
Nanotechnology, 2018
作者:  Wu FC(伍法才);  shuyao Si;  Shi T(时拓);  Zhao XL(赵晓龙);  Liu Q(刘琦)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/10
Unidirectional threshold switching in Ag/Si-based electrochemical metallization cells for high-density bipolar RRAM applications 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018
作者:  Zeng, Zhongming(曾中明);  Wang, Chao(王超);  Song, Bing;  Li, Qingjiang
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/27
Non-switching to switching transferring mechanism investigation for Ag/SiOx/p-Si structure with SiOx deposited by HWCVD 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51
作者:  Liu, Yanhong;  Wang, Ruoying;  Li, Zhongyue;  Wang, Song;  Huang, Yang
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02
Comparisons of switching characteristics between Ti/Al2O3/Pt and TiN/Al2O3/Pt RRAM devices with various compliance currents 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33
作者:  Qi, Yanfei;  Zhao, Ce Zhou;  Liu, Chenguang;  Fang, Yuxiao;  He, Jiahuan
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/26
Improving Unipolar Resistive Switching Uniformity with Cone Shaped Conducting Filaments and Its Logic-In-Memory Application 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 7, 页码: 6453-6462
作者:  Yang, Huali;  Liu, Gang;  Chen, Qilai;  Xue, Wuhong;  Shang, Jie
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2018/12/04
Low leakage current resistive memory based on Bi-1.10 (Fe0.95Mn0.05) O-3 films 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: Vol.33 No.9
作者:  Li, Zhen;  Yang, Zhengchun;  Wu, Jiagang;  Zhou, Baozeng;  Bao, Qiwen
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/02/25

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