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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The application of a high boiling point dissolution solvent on a poly(N-vinylcarbazole) host toward improving the performance of blue electrophosphorescent devices via a solution process 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 4427-4434 作者:  Yao, Bing;  Liu, Lihui;  Wang, Hailong;  Zhang, Baohua;  Yang, Qingqing 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/04/09 MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics   The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q. 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics   Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics