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| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
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| 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器 专利
专利号: CN108521075A, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11
作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 徐欢; 应磊莹
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| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 刘炜
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| InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 魏林程
收藏 | 浏览/下载：59/0 | 提交时间：2018/06/14 |
| InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107579432A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
作者: 郭志友; 侯玉菲; 孙慧卿; 汪鑫; 张秀
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 学位论文
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者: 江灵荣
收藏 | 浏览/下载：84/0 | 提交时间：2019/03/28
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| V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 付英昊
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