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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 1377-1382 作者:  Wang, Yiming;  Yang, Jin;  Wang, Hanbin;  Zhang, Jiawei;  Li, He 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11 Amorphous indium-gallium-zinc oxide ( a-InGaZnO)  current gain  high  frequency  thin-film transistor (TFT)