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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of the Gate Structure on ESD Characteristic of Tunnel Field-Effect Transistors 会议论文 2018 7TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEXT-GENERATION ELECTRONICS (ISNE), 2018-01-01 作者:  Yang, Zhaonian;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/20 electrostatic discharge (ESD)  electric field  gate structure  tunnel field-effect transistor (TFET)