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期刊论文 [36]
发表日期
2017 [36]
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Chemistry,... [1]
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共36条,第1-10条
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发表日期:2017
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A carbon nanotube non-volatile memory device using a photoresist gate dielectric
期刊论文
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 2017, 卷号: 124, 页码: 700-707
作者:
Sun, Yun
;
Wang, Bing-Wei
;
Hou, Peng-Xiang
;
Liu, Chang
;
Fang, Lin-Lin
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/01/10
Designing hybrid gate dielectric for fully printing high-performance carbon nanotube thin film transistors
期刊论文
Nanotechnology, 2017, 卷号: 28, 期号: 43
作者:
Li,Qian
;
Li,Shilong
;
Yang,Dehua
;
Su,Wei
;
Wang,Yanchun
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2019/05/09
Carbon nanotubes
Thin-film transistors
Hybrid gate dielectric
Fully printing
High performance
Noncovalent Se center dot center dot center dot O Conformational Locks for Constructing High-Performing Optoelectronic Conjugated Polymers
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2017, 卷号: 29, 期号: 34
作者:
Dong, Tao
;
Lv, Lei
;
Feng, Linlin
;
Xia, Yu
;
Deng, Wei
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/05/25
Conjugated Polymers
Organic Photovoltaic Cells
Organic Thin-film Transistors
Se Center Dot Center Dot Center Dot o Conformational Locks
Performance Investigation of Multilayer MoS2Thin-Film Transistors Fabricated via Mask-free Optically Induced Electrodeposition
期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 9, 页码: 8361-8370
作者:
Li M(李萌)
;
Liu N(刘娜)
;
Li P(李盼)
;
Shi JL(施佳林)
;
Li GY(李广勇)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/26
mask-free fabrication
metal-contact surface
multilayer MoS2
thickness of MoS2 film
thin-film transistors
Effect of Intrinsic Stress on Structural and Optical Properties of Amorphous Si-Doped SnO2 Thin-Film
期刊论文
Materials, 2017, 卷号: 10, 期号: 1
作者:
Ning, H. L.
;
X. Z. Liu
;
H. K. Zhang
;
Z. Q. Fang
;
W. Cai
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/06/13
Air-and Active Hydrogen-Induced Electron Trapping and Operational Instability in n-Type Polymer Field-Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2017
Un, Hio-Ieng
;
Zheng, Yu-Qing
;
Shi, Ke
;
Wang, Jie-Yu
;
Pei, Jian
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS
ORGANIC TRANSISTORS
THRESHOLD VOLTAGE
THIN-FILM
CARRIER DENSITY
PERFORMANCE
PENTACENE
STABILITY
GROWTH
SEMICONDUCTORS
高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备
期刊论文
液晶与显示, 2017
董俊辰
;
郁文
;
李慧津
;
韩德栋
;
张盛东
;
张兴
;
王漪
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
钆铝锌氧
薄膜晶体管
有源层
GdAZO
TFT
active layer
沟道长度对碳纳米管薄膜晶体管阈值电压的调控作用
期刊论文
真空科学与技术学报, 2017
董国栋
;
夏继业
;
孟虎
;
田博元
;
黄奇
;
赵杰
;
毛德丰
;
刘晓惠
;
方家
;
梁学磊
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
碳纳米管
薄膜晶体管
阈值电压
沟道长度
Carbon nanotube
Thin film transistor
Threshold voltage
Channel length
Fully transparent high performance thin film transistors with bilayer ITO/Al-Sn-Zn-O channel structures fabricated on glass substrate
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2017
Cong, Yingying
;
Han, Dedong
;
Dong, Junchen
;
Zhang, Shengdong
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Oxygen Interstitial Creation in a-IGZO Thin-Film Transistors Under Positive Gate-Bias Stress
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Zhou, Xiaoliang
;
Shao, Yang
;
Zhang, Letao
;
Lu, Huiling
;
He, Hongyu
;
Han, Dedong
;
Wang, Yi
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/12/03
Amorphous oxide semiconductor
thin-film transistors
reliability
positive gate-bias stress
defect creation
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