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Semiconductor laser device 专利
专利号: US9853415, 申请日期: 2017-12-26, 公开日期: 2017-12-26
作者:  YOSHIDA, TAKAYUKI;  WANG, JING-BO
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High-Performance Sub-Micrometer Channel WSe2 Field-Effect Transistors Prepared Using a Flood Dike Printing Method 期刊论文
ACS NANO, 2017, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 12536-12546
作者:  Wu, Fanqi;  Chen, Liang;  Zhang, Anyi;  Hong, Yi-Lun;  Shih, Nai-Yun
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High-Performance Sub-Micrometer Channel WSe2 Field-Effect Transistors Prepared Using a Flood Dike Printing Method 期刊论文
ACS NANO, 2017, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 12536-12546
作者:  Wu, Fanqi;  Chen, Liang;  Zhang, Anyi;  Hong, Yi-Lun;  Shih, Nai-Yun
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Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs With Gate-Drain Underlap 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248
作者:  Xu, Peng;  Lou, Haijun;  Zhang, Lining;  Yu, Zhonghua;  Lin, Xinnan
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/15
Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs with Gate-Drain Underlap 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248
作者:  Xu, Peng;  Lou, Haijun;  Zhang, Lining;  Yu, Zhonghua;  Lin, Xinnan
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Mechanism of composite grillage support with self-drilling anchors of tire tandems and vertical sheet drains 期刊论文
Yanshilixue Yu Gongcheng Xuebao/Chinese Journal of Rock Mechanics and Engineering, 2017, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 2826-2838
作者:  Dong, Jianhua;  Yuan, Fanglong;  Dong, Xuguang;  Pei, Meijuan
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Ultrathin GaGeTe p-type transistors 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 111, 期号: 20, 页码: 3
作者:  Wang, Weike;  Li, Liang;  Zhang, Zhitao;  Yang, Jiyong;  Tang, Dongsheng
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/06/17
Thermo-electric cooling system and method for cooling electronic devices 专利
专利号: US9806491, 申请日期: 2017-10-31, 公开日期: 2017-10-31
作者:  CONNOLLY, JOHN;  ROULSTON, JOHN F.;  MANDELIK, DANIEL
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24
Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor 期刊论文
NATURE PUBLISHING GROUP, 2017, 卷号: 8, 页码: -
作者:  Li, Xiao-Xi;  Fan, Zhi-Qiang;  Liu, Pei-Zhi;  Chen, Mao-Lin;  Liu, Xin
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/01/10
FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹)
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