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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of water vapor on the electronic property of MoS2 field effect transistors 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2017 Shu, Jiapei; Wu, Gongtao; Gao, Song; Liu, Bo; Wei, Xianlong; Chen, Qing 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/12/03 MoS2  field effect transistors  water vapor  electronic property  THIN-FILM TRANSISTORS  SINGLE-LAYER MOS2  GRAPHENE  HYSTERESIS  HETEROSTRUCTURES  DIELECTRICS  MONOLAYER   Perspective analysis of tri gate germanium tunneling field-effect transistor with dopant segregation region at source/drain 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017 Liu, Liang-kui; Shi, Cheng; Zhang, Yi-bo; Sun, Lei 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 ELECTRICAL-PROPERTIES  SCHOTTKY CONTACTS  MOSFETS  SWITCHES  LIMIT  STACK   Nb Doped TiO2 Protected Back-Channel-Etched Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Zhang, Letao; Zhou, Xiaoliang; Yang, Huan; He, Hongyu; Wang, Longyan; Zhang, Min; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO)  thin film transistors (TFTs)  back-channel-etch (BCE) process  Nb doped TiO2  THRESHOLD VOLTAGE  CARBON-NANOFILM  BARRIER LAYER  PERFORMANCE  SHIFT