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期刊论文 [17]
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发表日期
2017 [19]
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共19条,第1-10条
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发表日期:2017
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Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs With Gate-Drain Underlap
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248
作者:
Xu, Peng
;
Lou, Haijun
;
Zhang, Lining
;
Yu, Zhonghua
;
Lin, Xinnan
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  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/15
Ambipolar current
compact model
gate-drainunderlap
tunneling field-effect transistor (TFET)
Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs with Gate-Drain Underlap
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248
作者:
Xu, Peng
;
Lou, Haijun
;
Zhang, Lining
;
Yu, Zhonghua
;
Lin, Xinnan
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2020/11/14
Capacitance
SPICE
Tunnel field effect transistors
Ambipolar currents
Compact model
Double gate tunnel fets
Doublegate tunnel fets (DG-TFET)
Effective resistances
Electrical characteristic
Gate drain
Tunneling field-effect transistors
Middle support layer formation and structure in relation to performance of three-tier thin film composite forward osmosis membrane
期刊论文
DESALINATION, 2017, 卷号: 421, 页码: 190-201
作者:
Tian, Enling
;
Wang, Xingzu
;
Zhao, Yuntao
;
Ren, Yiwei
;
Tian, Enling
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2018/03/05
Forward osmosis
Thin film composite membrane
Middle support layer structure
Double support layers
Membrane performance
Tailoring. graphene layer-to-layer growth
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 28, 期号: 26
作者:
Li, Yongtao
;
Wu, Bin
;
Guo, Wei
;
Wang, Lifeng
;
Li, Jingbo
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  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2018/04/10
Bi-layer And Multi-layer Graphene
Chemical Vapor Deposition
Growth Mechanism
Liquid Copper
A common-gate bootstrapped CMOS rectifier for VHF isolated DC-DC converter
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 055002-1-055002-5
作者:
Dongfang Pan
;
Feng Zhang
;
Lu Huang
;
Jinliang Li
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  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2017/09/15
Cmos Rectifier Circuit
Bootstrapped Technique
Very High Frequency
Pce
Isolated Dc –Dc
A common-gate boots trapped CMOS rectifier for VHF isolated DC-DC converter
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 055002-1-055002-5
作者:
Dongfang Pan
;
Feng Zhang
;
Lu Huang
;
Jinliang Li
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2020/10/27
Cmos Rectifier Circuit
Bootstrapped Technique
Very High Frequency
Pce
Isolated Dc –Dc
An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars
期刊论文
2017, 卷号: 112, 页码: 269-278
作者:
Yang, Dong[1,2]
;
Hu, Shengdong[1,2,3]
;
Lei, Jianmei[3]
;
Huang, Ye[1,2]
;
Yuan, Qi[1,2]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/28
Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs
其他
2017-01-01
Di, Shaoyan
;
Shen, Lei
;
Lun, Zhiyuan
;
Chang, Pengying
;
Zhao, Kai
;
Lu, Tiao
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Boltzmann transport equation
GaSb
surface orientation
double gate
MOBILITY
MOSFETS
Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs
其他
2017-01-01
Di Shaoyan
;
Shen Lei
;
Lun Zhiyuan
;
Chang Pengying
;
Zhao Kai
;
Lu Tiao
;
Du Gang
;
Liu Xiaoyan
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Boltzmann transport equation
GaSb
surface orientation
double gate
An Accurate Analytical Current Model of Double-gate Heterojunction Tunneling FET
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 938-944
作者:
Guan, Yunhe
;
Li, Zunchao
;
Zhang, Wenhao
;
Zhang, Yefei
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/11/26
inversion charge
tangent line approximation
Analyticalmodel
heterojunction tunneling FET (TFET)
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