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| 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 专利
专利号: CN107404067A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊
  收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文
作者: 陈晓娟; 王鑫华; 魏珂; 郑英奎; 樊捷
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/07/20 |
| N2 plasma treatment for gate leakage reduction in AlGaN/GaN HEMT 会议论文
作者: Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森); Chen XJ(陈晓娟); Wei K(魏珂); Liu GG(刘果果)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/20 |
| Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching 会议论文
作者: Wei K(魏珂); Zheng YK(郑英奎)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2018/07/20 |
| 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文
半导体技术, 2017
作者: 魏珂 ; 陈诗哲; 刘新宇; 王泽卫; 张宗敬
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| 具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件 专利
专利号: CN106911079A, 申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30
作者: 詹姆斯·W·拉林; 保罗·鲁迪; 白辰东
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
作者: 高雪; 周坤; 孙逸; 冯美鑫; 刘建平
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏 | 浏览/下载：435/0 | 提交时间：2017/06/05
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| AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
陈翔
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2017/06/05
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| 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 专利
专利号: CN106783978A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 池田昌夫; 张书明; 李德尧
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
