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基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文
作者:  陈晓娟;  王鑫华;  魏珂;  郑英奎;  樊捷
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20
N2 plasma treatment for gate leakage reduction in AlGaN/GaN HEMT 会议论文
作者:  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Chen XJ(陈晓娟);  Wei K(魏珂);  Liu GG(刘果果)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/20
基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文
半导体技术, 2017
作者:  魏珂;  陈诗哲;  刘新宇;  王泽卫;  张宗敬
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/16
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载：432/0  |  提交时间：2017/06/05
增强型 AlGaN/GaN AlGaN/GaN MIS -HEMT HEMT 功率开关器件特性的研究 学位论文
合肥: 中国科学技术大学, 2017
作者:  张志利
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/27
Highly sensitive extended gate-AlGaN/GaN high electron mobility transistor for bioassay applications 期刊论文
Rsc Advances, 2017, 卷号: 7, 期号: 88
作者:  Ding, X. Z.;  B. Miao;  Z. Q. Gu;  B. J. Wu;  Y. M. Hu
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/06/13
High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics 期刊论文
2017
作者:  Li, Shu-Ping;  Zhang, Zhi-Li(张志利）;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/05
Design of power integrated circuits in full AlGaN/GaN MIS-HEMT configuration for power conversion 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2017, 卷号: 214
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Wang, Yun-Hsiang;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 3515-3518
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 420, 页码: 817-824
作者:  Zhong, Yaozong[1];  Yu Zhou[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24

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