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一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利
专利号: CN107196187A, 申请日期: 2017-09-22, 公开日期: 2017-09-22
作者:  杨亿斌;  李京波
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硅基电注入激光器及其制备方法 专利
专利号: CN107069430A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
作者:  王梦琦;  李稚博;  周旭亮;  李亚节;  王鹏飞
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一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法 专利
专利号: CN106920739A, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  郭炜;  叶继春;  黄峰;  李俊梅;  孟凡平
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利
专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者:  李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利号: CN106783948A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠
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AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法 专利
专利号: CN106480498A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
作者:  王俊;  胡海洋;  成卓;  樊宜冰;  马浩源
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替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 2, 页码: 186-190
作者:  赵真典;  陈路;  傅祥良;  王伟强;  沈川
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武威盆地南缘断裂晚第四纪活动地表形迹与活动速率 期刊论文
地震地质, 2017
艾晟; 张波; 樊春; 王洋
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