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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High performance monolithically integrated GaN Driving VMOSFET on LED (EI收录) 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: 38, 页码: 752-755 作者:  Lu, Xing[1];  Liu, Chao[2];  Jiang, Huaxing[2];  Zou, Xinbo[2];  Lau, Kei May[2] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/24 Field effect transistors  Gallium nitride  Integration  Monolithic integrated circuits  MOSFET devices  Semiconductor diodes  Semiconductor junctions  Transistors  Wide band gap semiconductors