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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in si crystal 期刊论文 Physica b-condensed matter, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204 作者:  Zhao, Mingshu;  Dong, Juncai;  Chen, Dongliang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/04/23 Silicon doping  Local lattice distortion  Strain relaxation mechanism  Charge localization  Dft   Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204 作者:  Dong, JC;  Chen DL(陈栋梁);  Dong JC(董俊才);  Zhao, MS;  Chen, DL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/08/27 Silicon doping  Local lattice distortion  Strain relaxation mechanism  Charge localization  DFT