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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 1-5 作者:  Ma, LD (Ma, Lindong);  Li, YD (Li, Yudong);  Guo, Q (Guo, Qi);  Wen, L (Wen, Lin);  Zhou, D (Zhou, Dong) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/01/08 Complementary Metal-oxide-semiconductor (Cmos) Active Pixel Sensor  Dark Current  Fixed-pattern Noise  Quantum Efficiency   An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 8 作者:  Li, P (Li, Pei);  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  He, CH (He, Chao-Hui);  Guo, HX (Guo, Hong-Xia);  Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/12/11 Different Silicon-germanium Process  Ionizing Radiation Damage  Numerical Simulation   Na2ZnSn2S6: A mixed-metal thiostannate with large second-harmonic generation response activated by penta-tetrahedral [ZnSn4S14](10-) clusters 期刊论文 Science China-Technological Sciences, 2017, 卷号: 60, 期号: 10, 页码: 1465-1472 作者:  Li, GM (Li GuangMao);  Wu, K (Wu Kui);  Liu, Q (Liu Qiong);  Yang, ZH (Yang ZhiHua);  Pan, SL (Pan ShiLie) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/01/05 Na2znsn2s6  Nonlinear Optical  Infrared  Second-harmonic Generation   Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector 期刊论文 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16 作者:  Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ];  Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ];  Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/07/10 Displacement damage  NIEL  P-i-n photodiode  Damage enhancement factor