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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of quantum confinement on transport and the electrostatic driven performance of silicon nanowire transistors at the scaling limit 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017 Al-Ameri, Talib; Georgiev, Vihar P.; Sadi, Toufik; Wang, Yijiao; Adamu-Lema, Fikru; Wang, Xingsheng; Amoroso, Salvatore M.; Towie, Ewan; Brown, Andrew; Asenov, Asen 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 CMOS  Electrostatics  Nanowire transistors  Performance  Quantum effects  TCAD  GATE  SIMULATION  INVERSION  MULTIGATE  MOSFETS  NM