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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultralow reverse leakage current in AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes grown on bulk GaN substrate 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Lu, Xing;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Zou, Xinbo;  Zhang, Anping 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 Electrolyte-oxide-semiconductor structures as pH sensors based on resistive-switching characteristic 其他 2016-01-01 Wang, H.; Chen, Z.; Chen, X.; Wu, W. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 ELECTROLYTE-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES AS PH SENSORS BASED ON RESISTIVE-SWITCHING CHARACTERISTIC 其他 2016-01-01 Wang, H.; Chen, Z.; Chen, X.; Wu, W. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SYSTEMS   Leakage Current Analysis Using High Resistivity Silicon Gated Diodes For PIN Detectors Application 其他 2016-01-01 Hao Wang; Min Yu; Baohua Shi; Yahuan Huang; Xinyang Zhao; Yufeng Jin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 thick  junction  leakage  gated  depletion  resistivity  evident  concluded  lifetime  specially  thick  junction  leakage  gated  depletion  resistivity  evident  concluded  lifetime  specially   gamma-ray detector based on n-type 4H-SiC Schottky barrier diode 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 20 作者:  Du YY(杜园园);  Zhang CL(张春雷);  Cao XL(曹学蕾);  Du, YY 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2017/07/26 4H-SiC  wide-band semiconductor  Schottky diode  gamma-ray detector   A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs 期刊论文 2016, 卷号: 126, 页码: 10 作者:  Ma, Xiaoyu[1];  Huang, Junkai[1];  Fang, Jielin[1];  Deng, Wanling[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10 Effect of reverse leakage current on the reliability of InGaN/GaN high power LEDs 会议论文 作者:  Zheng, Chenju;  Liu, Sheng;  Zhou, Shengjun;  Lv, Jiajiang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Degradation  leakage current  Accelerated tests  serial resistance   Effect of reverse leakage current on the reliability of InGaN/GaN high power LEDs 期刊论文 2016 17th International Conference on Electronic Packaging Technology, ICEPT 2016, 2016 作者:  Liu, Sheng;  Zheng, Chenju;  Lv, Jiajiang;  Zhou, Shengjun 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05