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2016 [7]
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发表日期:2016
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Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM
会议论文
作者:
Zhang HY(张宏远)
;
Wang LF(王林飞)
;
Liu HN(刘海南)
;
Chen LK(陈丽坤)
;
Zhou YL(周月琳)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/05/19
Monte Carlo predictions of proton SEE cross-sections from heavy ion test data
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 页码: 47-52
作者:
Xi, Kai
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhan-Gang
;
Hou, Ming-Dong
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/05/31
single event effects
Geant4
protons
heavy ions
A Fault Masking Dual Module Redundancy Method for FPGA
会议论文
Vancouver, Canada, 2016-5-15
作者:
Zheng, Meisong
;
Wang, Zilong
;
Wang, Zilong
;
Li, Lijian
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/06/27
Fpga
Fault Tolerance
Dual Modular Redundancy
卫星固态存储器数据容错设计与机制
期刊论文
国防科技大学学报, 2016, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 101-106
作者:
宋琪
;
邹业楠
;
李姗
;
安军社
;
朱岩
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2016/05/09
固态存储器
容错机制
检纠错码
自动重传请求
CCSDS文件传输协议
Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space
会议论文
作者:
Zhang, Zhangang
;
Lei, Zhifeng
;
En, Yunfei
;
Liu, Jie
;
IEEE
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/03/27
single event upset
static random access memory
Monte-Carlo
secondary electron
nuclear reaction
Novel Low Cost and Double Node Upset Tolerant Latch Design for Nanoscale CMOS Technology
期刊论文
Proceedings of the Asian Test Symposium, 2016, 页码: 252-256
作者:
Liang,Huaguo
;
Xu,Xiaolin
;
Fang,Xiangsheng
;
Yan,Aibin
;
Huang,Zhengfeng
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/04/22
65 NM CMOS
HIGH-PERFORMANCE
SINGLE EVENT
SEU
CIRCUITS
SYSTEMS
Degradation-shock-based Reliability Models for Fault-tolerant Systems
期刊论文
QUALITY AND RELIABILITY ENGINEERING INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 32, 页码: 949-955
作者:
Liu, Zhenyu
;
Ma, Xiaobing
;
Shen, Lijuan
;
Zhao, Yu
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/30
degradation
shock model
fault tolerant
total ionizing dose
single-event upset
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