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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 极性ZnO的生长机制和{10-1-4}小面掺N研究 学位论文 2016, 2016 王浩 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2017/06/20 极性ZnO  N掺杂ZnO  生长动力学  {10-1-4}邻位面  台阶流动生长  分子束外延和扫描隧道显微镜联合系统  Polar ZnO  N-doped ZnO  Growth kinetics  {10-1-4} facets  Step flow growth  Molecular beam epitaxy and scanning tunneling microscopy united system   Enhanced thermoelectric performance in the Rashba semiconductor BiTeI through band gap engineering 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2016, 卷号: 28, 期号: 8 作者:  Wu, Lihua;  Yang, Jiong;  Zhang, Tiansong;  Wang, Shanyu;  Wei, Ping 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/03/01 thermoelectric  Rashba effect  band gap  BiTeI   Electronic and magnetic behaviors of graphene with 5d series transition metal atom substitutions: A first-principles study 期刊论文 Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 2016, 卷号: 80, 页码: 142-148 作者:  Sun, Minglei;  Tang, Wencheng*;  Ren, Qingqiang;  Zhao, Yiming;  Wang, Sake 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/03 Graphene  Electronic properties  Doping  Semiconductor  Spintronics  First-principles   Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets 期刊论文 NANO LETTERS, 2016 Pan, D.; Fan, D. X.; Kang, N.; Zhi, J. H.; Yu, X. Z.; Xu, H. Q.; Zhao, J. H. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Free-standing layered InSb  single-crystalline  mobility  molecular-beam epitaxy  BIAS CONDUCTANCE PEAK  NANOWIRE HETEROSTRUCTURES  HYBRID DEVICE  QUANTUM DOTS  SEMICONDUCTOR  SPINTRONICS  TRANSISTORS  EPITAXY  FUTURE  GROWTH   Intrinsic quantum spin Hall and anomalous Hall effects in h-Sb/Bi epitaxial growth on a ferromagnetic MnO2 thin film 期刊论文 NANOSCALE, 2016 Zhou, Jian; Sun, Qiang; Wang, Qian; Kawazoe, Yoshiyuki; Jena, Puru 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 TOPOLOGICAL INSULATORS  MONOLAYER  SURFACE  SEMICONDUCTOR  TRANSITIONS  PHASES  OXIDE  BI