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| 高Al组分AlGaN材料中的光学偏振特性及其调控 学位论文
2016, 2016
季桂林
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/06/20
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| AlGaN基深紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂研究 学位论文
2016, 2016
刘松青
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 深紫外波段 AlGaN 电光效应调制 学位论文
2016, 2016
吴小璇
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 高Al组分AlGaN半导体中的Mg杂质工程 学位论文
2016, 2015
郑同场
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN106207754A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 马旺; 王成新; 徐现刚
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2016
作者: Liu XY(刘新宇) ; Huang S(黄森); Wang XH(王鑫华)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/05/08 |
| 一种监控凹栅槽刻蚀的新方法 专利
专利号: CN201410046236.9, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-04-23
作者: 郑英奎; 袁婷婷; 魏珂; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/06/14 |
| 常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2016/06/06
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| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘雅丽
收藏 | 浏览/下载：87/0 | 提交时间：2016/06/03
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