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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 13 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/11 Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文 IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11 Shockley-Read-Hall recombination and efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 14 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of Rapid Thermal Annealing on the Structural, Electrical, and Optical Properties of Zr-Doped ZnO Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition 期刊论文 MATERIALS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Wu, JJ;  Zhao, YC;  Zhao, CZ;  Yang, L;  Lu, QF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of thickneb on optical characteristics and strain distribution of thin-film GaN light-emitting diodes transferred to Si substrates 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Li, H;  Shi, YD;  Feng, MX(冯美鑫);  Sun, Q(孙钱);  Lu, TC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate 期刊论文 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11