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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A SiC MOSFET gate capacitance extraction method and influence factors research 期刊论文 2016, 卷号: 36, 页码: 4224-4231 作者:  Li, Hui[1];  Liao, Xinglin[1];  Zeng, Zheng[1];  Shao, Weihua[1];  Hu, Yaogang[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/29 SiC MOSFET静态性能及参数温度依赖性的实验分析及与Si IGBT的对比 Temperature Dependency Characteristic of SiC MOSFET Static Performance Based on Comparative Analysis with Si IGBT 期刊论文 2016, 卷号: 14, 页码: 67-79 作者:  马青[1];  冉立[1];  胡博容[1];  曾正[1];  刘清阳[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 SiCMOSFET栅极电容提取实验方法及影响因素研究 A SiC MOSFET Gate Capacitance Extraction Method and Influence Factors Research 期刊论文 2016, 卷号: 36, 页码: 4224-4231 作者:  李辉[1];  廖兴林[1];  曾正[1];  邵伟华[1];  胡姚刚[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28