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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural, bonding, anisotropic mechanical and thermal properties of Al4SiC4and Al4Si2C5by first-principles investigations 期刊论文 Journal of Asian Ceramic Societies, 2016, 卷号: 4, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 289-298 作者:  Sun, Liang;  Gao, Yimin;  Li, Yefei;  Yoshida, Katsumi;  Yano, Toyohiko 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 Aluminum silicon carbide  Anisotropic elastic properties  Crystalline directions  First-principles calculation  First-principles investigations  Harmonic approximation  Mechanical and thermal properties  Mechanical constants   Monte Carlo study on extinction coefficient of silicon carbide porous media used for solar receiver 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2016, 卷号: 92, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1061-1065 作者:  Zhao, Y.;  Tang, G. H. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 Solar receiver  Monte Carlo method  Extinction coefficient  SiC porous media   Silicon carbide-based foams derived from foamed SiC-filled phenolic resin by reactive infiltration of silicon 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 14760-14764 作者:  Xu, Shao-Chun;  Zhang, Nan-Long;  Yang, Jian-Feng;  Wang, Bo;  Kim, Chang-Yeoul 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 SiC  Reactive infiltration  Porosity  Phenolic resin  Foaming   Analysis of A Low-Inductance Packaging Layout for Full-SiC Power Module Embedding Split Damping 会议论文 作者:  Ren, Yu;  Yang, Xu;  Zhang, Fan;  Tan, Linlin;  Zeng, Xiangjun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 power module  damping capacitor  layout  low-inductance packaging  silicon carbide MOSFET   A simple method for well-defined and clean all-SiC nano-ripples in ambient air 期刊论文 OPTICS AND LASERS IN ENGINEERING, 2016, 卷号: 82, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 141-147 作者:  Ma, Yuncan;  Khuat, Vanthanh;  Pan, An 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02 Silicon carbide  Chemical selective etching  Femtosecond laser  Nano-ripples   A novel gate control strategy for 3.4kV cascade SiC MOSFETs stack 会议论文 作者:  Ren, Yu;  Yang, Xu;  Zhang, Fan;  Qiao, Liang;  Wang, Yichen 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 DC/DC  Silicon Carbide (SiC)  Control of drive